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唯实论坛(十七)——二维单晶薄膜---后摩尔时代领航者

发布日期:2025-09-19 作者: 来源: 点击:

报告题目:二维单晶薄膜---后摩尔时代领航者

报告人:李梦阁

报告时间:2025年9月20日19:00-21:00

报告地点:东教一北403

报告对象:2025级微电子系全体学生

主办单位:av影片

报告人简介:李梦阁,女,中共党员,硕士生导师,2023年6月博士毕业于浙江大学,半导体薄膜制备及器件实验室创建人和负责人,主要研究纳米半导体材料的异构集成、纳米半导体器件制备、物性调控、集成设计及其在电子学、光电探测器、生物传感、非线性光学以及能谷电子学等领域的应用。近五年来发表SCI 论文十余篇,如Nano Letters, ACS Appl. Mater. Interfaces, J. Mater. Chem. C, Appl. Phys. Lett., Nanotechnology, ACS Appl. Electron. Mater等,单篇最高被引173 次。多次获得国家奖学金,荣获浙江大学三好研究生、优秀研究生干部、优秀毕业生、浙江省优秀毕业生等荣誉称号。现主持安工大人才项目1项,校青年基金1项。目前指导研究生2名。

报告内容简介:超大规模集成电路(IC)的核心构建单元——晶体管,承担着逻辑开关与信号调控等关键功能。硅基晶体管的迅速发展推动了半导体行业的迅猛增长,电子产品逐渐成为现代社会的重要组成部分。在人工智能、物联网及集成电路技术快速发展的推动下,半导体工艺受到空前关注,市场对低功耗晶体管的需求持续攀升。为实现更高运算速度与集成密度,必须持续缩减器件尺寸并优化功耗特性,从而确保存储可靠。然而,随着硅基器件逐渐逼近物理极限,短沟道效应、高功耗和低迁移率严重制约了器件的小型化和高性能的发展,摩尔定律几乎不再适用,行业亟需突破材料体系以延续摩尔定律。二维层状材料因其原子级厚度和高迁移率等,成为突破传统材料瓶颈的重要方向。本报告将带领大家走进二维材料的世界。